Разупорядочение структуры, возникающее в процессе роста напыленных металлических пленок, удается наблюдать, исполь­зуя для изучения структуры тонких пленок методы электронной микроскопии. Многочисленные работы Хирша, Уилана, Силкокс, Уилсдорфа и др. были посвящены изучению дефектов структуры в пленках, полученных утонением массивных образ­цов. Систематические электронно-микроскопические исследова­ния структуры напыленных пленок проводились Бассетом, Ментером и Пэшли, Филлипсом, Мэтьюзом и другими авторами. В этих работах исследовались монокристаллические пленки золота и серебра, эпитаксиально выращенные на слюде или каменной соли с помощью хорошо разработанных методик. В таких монокристаллических пленках различные де­фекты обнаруживаются значительно отчетливее, чем в поликристаллических осадках.

Характер дефектов, наблюдаемых в этих пленках, и способ их возникновения, по-видимому, являются типичными для любых напыленных пленок, будь то моно- или поликристаллические. Различие состоит, возможно, в том, что в мелкозернистых поликристаллических пленках дефекты упаковки и двойниковые границы возникают значительно реже, чем в монокристаллических пленках. Кроме того, в поликристаллических пленках гра­ницы зерен занижают гораздо большую площадь. Полное опи­сание методов электронно-микроскопического исследования де­фектов решетки дано недавно в работе Демни. Дефекты пленочных покрытий должны быть исключены для любого типа оборудования, детали которого изтоговлены с применением тонких пленок. Высокоточность лазерных машин на производственных участках компании достигается также за счёт эффективных плёночных структур механизмов.

Метод электронной микроскопии позволяет обнаружить в монокристаллических эпитаксиальных пленках следующие де­фекты: простые и сложные дефекты упаковки, двойники й двой­никовые границы, полные и частичные дислокации, границы зе­рен, а также вторичные дефекты, такие, как дислокационные петли, дефектов упаковки и небольшие дефекты, по внешнему виду похожие на точки. Изучение этих вторичных дефектов позволяет получить информацию о присутствии в кристалле вакансий.