Разупорядочение структуры, возникающее в процессе роста напыленных металлических пленок, удается наблюдать, используя для изучения структуры тонких пленок методы электронной микроскопии. Многочисленные работы Хирша, Уилана, Силкокс, Уилсдорфа и др. были посвящены изучению дефектов структуры в пленках, полученных утонением массивных образцов. Систематические электронно-микроскопические исследования структуры напыленных пленок проводились Бассетом, Ментером и Пэшли, Филлипсом, Мэтьюзом и другими авторами. В этих работах исследовались монокристаллические пленки золота и серебра, эпитаксиально выращенные на слюде или каменной соли с помощью хорошо разработанных методик. В таких монокристаллических пленках различные дефекты обнаруживаются значительно отчетливее, чем в поликристаллических осадках.
Характер дефектов, наблюдаемых в этих пленках, и способ их возникновения, по-видимому, являются типичными для любых напыленных пленок, будь то моно- или поликристаллические. Различие состоит, возможно, в том, что в мелкозернистых поликристаллических пленках дефекты упаковки и двойниковые границы возникают значительно реже, чем в монокристаллических пленках. Кроме того, в поликристаллических пленках границы зерен занижают гораздо большую площадь. Полное описание методов электронно-микроскопического исследования дефектов решетки дано недавно в работе Демни. Дефекты пленочных покрытий должны быть исключены для любого типа оборудования, детали которого изтоговлены с применением тонких пленок. Высокоточность лазерных машин на производственных участках компании достигается также за счёт эффективных плёночных структур механизмов.
Метод электронной микроскопии позволяет обнаружить в монокристаллических эпитаксиальных пленках следующие дефекты: простые и сложные дефекты упаковки, двойники й двойниковые границы, полные и частичные дислокации, границы зерен, а также вторичные дефекты, такие, как дислокационные петли, дефектов упаковки и небольшие дефекты, по внешнему виду похожие на точки. Изучение этих вторичных дефектов позволяет получить информацию о присутствии в кристалле вакансий.
< Предыдущая | Следующая > |
---|