Исследования по эпитаксии

Большинство исследований по эпитаксии представляют, за несколькими исключениями, один из следующих случаев: 1) ме­таллы на металлах; 2) металлы на NaCl, LiF, СаС0₃ или слюде; 3) галогениды щелочных металлов на монокристаллах этих галогенидов. Для объяснения такой гетероэпитаксии предложе­ны две теории, до некоторой степени противоречащие друг другу. Первая основывается на идеях Франка и Ван-дер-Мерве, Финча и Кворелла и Родина. Она постулирует, что конденсированные атомы упорядоченно располагаются в потен­циальных ямах на поверхности подложки и при этом образуется двумерная псевдоизоморфная решетка. Вследствие сил притя­жения между атомами пленки это расположение должно при­водить к небольшой разнице в параметрах решетки на по­верхности подложки и двумерной решетки пленки. Следующие конденсированные слои заполнят минимумы потенциала очеред­ной наинизшей атомной плоскости, а напряжения в пленке бу­дут сведены к минимуму постепенным приближением к объем­ной структуре с увеличением толщины пленки. Согласно этой модели, эпитаксиальный рост не может происходить при несоот­ветствии решеток больше чем на 14%.

Бассе указал, что экспериментальные факты не согласуются с теорией, описанной выше. Шульц наблю­дал несоответствия в параметрах решеток, достигающие 90%, и не обнаружил никакого псевдоизоморфизма, так как при заро­ждении и росте пленок всегда возникала та же фаза, которая наблюдается в массивном материале. Было получено несколько новых (возможно, метастабильных) структур в пленках, но ни одна из них не могла быть обусловлена структурой подложки.