Исследования по эпитаксии
Большинство исследований по эпитаксии представляют, за несколькими исключениями, один из следующих случаев: 1) металлы на металлах; 2) металлы на NaCl, LiF, СаС03 или слюде; 3) галогениды щелочных металлов на монокристаллах этих галогенидов. Для объяснения такой гетероэпитаксии предложены две теории, до некоторой степени противоречащие друг другу. Первая основывается на идеях Франка и Ван-дер-Мерве, Финча и Кворелла и Родина. Она постулирует, что конденсированные атомы упорядоченно располагаются в потенциальных ямах на поверхности подложки и при этом образуется двумерная псевдоизоморфная решетка. Вследствие сил притяжения между атомами пленки это расположение должно приводить к небольшой разнице в параметрах решетки на поверхности подложки и двумерной решетки пленки. Следующие конденсированные слои заполнят минимумы потенциала очередной наинизшей атомной плоскости, а напряжения в пленке будут сведены к минимуму постепенным приближением к объемной структуре с увеличением толщины пленки. Согласно этой модели, эпитаксиальный рост не может происходить при несоответствии решеток больше чем на 14%.
Бассе указал, что экспериментальные факты не согласуются с теорией, описанной выше. Шульц наблюдал несоответствия в параметрах решеток, достигающие 90%, и не обнаружил никакого псевдоизоморфизма, так как при зарождении и росте пленок всегда возникала та же фаза, которая наблюдается в массивном материале. Было получено несколько новых (возможно, метастабильных) структур в пленках, но ни одна из них не могла быть обусловлена структурой подложки.