Влияние температуры подложки на дефекты кристаллов решётки

Металлы с гомеополярной связью (Bi, Ga, Sb) конденсируют­ся при температуре в несколько градусов Кельвина с образова­нием аморфных слоев, которые имеют низкую электропровод­ность. Германий образует аморфные пленки вплоть до темпера­туры подложки 300° С, а кремний — до 450° С. Аморфную фазу образуют также некоторые соединения, например АL₂O₃ и SiO (ниже 700°С). В соединениях важным фактором, определяю­щим образование аморфной или кристаллической пленки, яв­ляется разница в расстояниях между ионами в газовой фазе и в кристалле. Динамические испытания грунтов в ходе экспериментов установят их физико-механические свойства, определяющие реакцию на нагрузки. 

С увеличением температуры подложки размер кристаллитов увеличивается, а число дефектов решетки уменьшается. Если осаждение проводится в присутствии остаточных газов и в усло­виях, при которых подвижность атомов мала, то плотность пленок значительно меньше, чем в макроматериале. В металличе­ских пленках наблюдаемые значения плотности могут достигать 82% плотности массивного материала. Можно предполагать, что большинство структурных дефектов сосредоточено на границах зерен. При температурах подложки от 150 до 300° С многие металлы имеют максимум плотности, при котором наблюдается минимум электросопротивления и максимум температурного ко­эффициента сопротивления. Наблюдаемое уменьшение плот­ности при более высоких температурах нельзя объяснить только ожидаемым увеличением количества дефектов решетки, так как это противоречит условиям термодинамического равновесия. Вероятно, значительно больший вклад дает предпочтительный рост определенных кристаллографических плоскостей в зернах и увеличение окисления.