Микроструктура поверхности подложки

Преимуществен­ный рост кристалликов в пленке может быть вызван первона­чальным образованием зародышей с двумерной решеткой на плоской поверхности подложки. Такой рост определяется силами связи между осаждаемыми атомами; влиянием же потенциаль­ного поля подложки можно пренебречь вследствие аморфности поверхности подложки.

Другой вид упорядоченного роста наблюдается на монокристаллических подложках. Здесь строгая периодичность поверх­ности подложки часто является доминирующей силой, влияющей на образование пленки. В простейшем случае, когда вещество испаряется на подложку того же состава, не требуется специаль­ного процесса образования зародыша, так как при росте пленки непосредственно продолжается структура подложки в соответ­ствии с теорией кристаллического роста Косселя и Странского.

В последнее время к этому простому эпитаксиальному нара­щиванию стали проявлять значительный интерес в связи с раз­витием полупроводниковых приборов. Особенно детально изуча­лись различные химические методы осаждения для выращива­ния германия на германии и GaAs, кремния на кремнии, а также GaAs на GaAs. Многие из этих работ, однако, были направлены на решение таких вопросов, как сравнение ряда конкурирующих между собой химических реакций, перенос леги­рующих материалов или захват инородных атомов из транспор­тирующих соединений или остаточных газов. В то время как данные по исследованию зависимости скорости роста, совершен­ства кристалла и макроструктуры поверхности от параметров осаждения (в основном температуры подложки, скорости пото­ка, парциальных давлений и ориентации поверхности подложки) уже известны и находятся в качественном согласии с теорети­ческими предсказаниями, до сих пор еще не было предпринято попыток установить систематическую корреляцию структуры с кинетикой роста. Влияние микроструктуры поверхности на картину роста очевидно.