Микроструктура поверхности подложки
Преимущественный рост кристалликов в пленке может быть вызван первоначальным образованием зародышей с двумерной решеткой на плоской поверхности подложки. Такой рост определяется силами связи между осаждаемыми атомами; влиянием же потенциального поля подложки можно пренебречь вследствие аморфности поверхности подложки.
Другой вид упорядоченного роста наблюдается на монокристаллических подложках. Здесь строгая периодичность поверхности подложки часто является доминирующей силой, влияющей на образование пленки. В простейшем случае, когда вещество испаряется на подложку того же состава, не требуется специального процесса образования зародыша, так как при росте пленки непосредственно продолжается структура подложки в соответствии с теорией кристаллического роста Косселя и Странского.
В последнее время к этому простому эпитаксиальному наращиванию стали проявлять значительный интерес в связи с развитием полупроводниковых приборов. Особенно детально изучались различные химические методы осаждения для выращивания германия на германии и GaAs, кремния на кремнии, а также GaAs на GaAs. Многие из этих работ, однако, были направлены на решение таких вопросов, как сравнение ряда конкурирующих между собой химических реакций, перенос легирующих материалов или захват инородных атомов из транспортирующих соединений или остаточных газов. В то время как данные по исследованию зависимости скорости роста, совершенства кристалла и макроструктуры поверхности от параметров осаждения (в основном температуры подложки, скорости потока, парциальных давлений и ориентации поверхности подложки) уже известны и находятся в качественном согласии с теоретическими предсказаниями, до сих пор еще не было предпринято попыток установить систематическую корреляцию структуры с кинетикой роста. Влияние микроструктуры поверхности на картину роста очевидно.