Остаточный газ как фактор загрязнения пленки

Одним из важных источников загрязнения пленки служит сам остаточный газ в камере для напыления. В течение процесса испарения вещество, конденсирующееся на подложке, может за­хватить некоторое количество кислорода и других газов. По­мимо загрязнения, такой захват приводит к увеличенной пори­стости пленки и шероховатости ее поверхности. Это явление зависит от скорости испарения (следовательно, и от температуры источника, хотя часто не так легко разделить влияние этих двух параметров), от давления, состава остаточных газов в камере, от геометрии системы источник — подложка и самой процедуры испарения. Минимальное содержание примесей наблюдается при высокой скорости испарения и при малом давлении оста­точных газов. Важной деталью процедуры испарения является использование заслонки, помещаемой непосредственно под под­ложкой.

Наиболее чувствительными к загрязнению остаточными га­зами являются вещества, которые легко адсорбируют и погло­щают эти газы (геттеры). Поглотительная способность может быть использована для снижения давления остаточных газов непосредственно перед осаждением пленки. Вначале произво­дится быстрое испарение вещества на стенки камеры при за­крытой заслонке, предохраняющей подложку от попадания испаряемого вещества. Через несколько секунд заслонка откры­вается и производится напыление пленки. В этом случае вслед­ствие большой поглотительной способности осажденное на стенки камеры вещество действует как насос и уменьшает дав­ление остаточных газов как до, так и во время осаждения пленки.